Согласно новому технологическому отчету Semiconductor Technology Roadmap 2026, представленному Корейским институтом инженеров по полупроводникам, индустрию ждет колоссальный скачок в ближайшие полтора десятилетия. Эксперты прогнозируют, что к 2040 году техпроцесс производства микросхем достигнет невероятной отметки в 0,2 нм, что ознаменует полноценный переход в «Эру ангстремов».
Этот амбициозный прогноз подразумевает фундаментальную смену архитектуры транзисторов. Ожидается, что на смену нынешним GAA (Gate-All-Around) придут структуры CFET (Complementary Field Effect Transistor) в сочетании с монолитным 3D-дизайном. Для сравнения: Samsung только сейчас начинает массовое внедрение 2-нанометрового техпроцесса, а исследования над чипами с техпроцессом 1 нм в планах только к 2029 году.
Дорожная карта также описывает прогресс в других ключевых областях памяти и вычислений к 2040 году:
- NAND Flash: количество слоев в чипах памяти должно вырасти с нынешних 321 до фантастических 2000 слоев.
- DRAM: техпроцесс производства оперативной памяти уменьшится с 11 нм до 6 нм.
- HBM (память с высокой пропускной способностью): количество слоев увеличится с 12 до 30, а пропускная способность подскочит с 2 ТБ/с до 128 ТБ/с.
- ИИ-процессоры: если современные чипы нацелены на 10 TOPS (триллионов операций в секунду), то через 15 лет производительность для обучения ИИ может достичь 1000 TOPS.
